ASTM F1392-2002 用带汞探针的电容-电压测量法测定硅晶片中净载流子密度分布的标准试验方法

作者:标准资料网 时间:2024-05-02 10:48:34  浏览:8944   来源:标准资料网

【英文标准名称】:StandardTestMethodforDeterminingNetCarrierDensityProfilesinSiliconWafersbyCapacitance-VoltageMeasurementsWithaMercuryProbe
【原文标准名称】:用带汞探针的电容-电压测量法测定硅晶片中净载流子密度分布的标准试验方法
【标准号】:ASTMF1392-2002
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:硅;试验;材料;电子工程
【英文主题词】:capacitance-voltagemethod;carrierdensity;carrierdensityprofile;depthprofile;epitaxialwafers;mercuryprobe;netcarrierdensity;polishedwafers;profiles;resistivity;silicon;singlecrystalsilicon
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thistestmethodcoversthemeasurementofnetcarrierdensityandnetcarrierdensityprofilesinepitaxialandpolishedbulksiliconwafersintherangefromabout4x1013
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:14P.;A4
【正文语种】: